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Samsung Electronics 量產 4GB HBM2,8GB 在規劃中

在 JEDEC 更新 HBM 資訊後,Samsung Electronics 有了新動作。 Samsung Electronics 在 19 日宣佈,公司開始量產 4GB 封裝的第二代 High Bandwidth Memory(HBM2)。 4GB HBM2 DRAM 採用 Samsung Electronics 20nm 製程以及 TSV 記憶體技術;每顆 4GB HBM2 DRAM 由 4 顆 8Gb 顆粒所組成。全新的 HBM2 有著 256GBps 的頻寬,若與 HBM 相比,這頻寬量可說是多了一倍,至於和 36GBps 的 4Gb GDDR5 顆粒進行比較,HBM2...