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Qualcomm Snapdragon 830 如期 2018 年推出,進入 10nm 製程

Qualcomm Snapdragon 820 還沒裝置發售,就有後續處理器的消息。 其實這並不是第一次有 Qualcomm Snapdragon 830 的消息出現,較早之前,是由中國分析師潘九堂在其微博上談到這款 SoC。 潘九堂之前提到,Qualcomm Snapdragon 830 將支援 8GB 記憶體,處理器代號為 MSM8998,預計在 2017 年登場,而這個消息與最新的傳聞沒有太大的不同。 消息同樣是在微博上傳開,不過來源不是盤九堂,而是另一位稱為 @i冰宇宙的使用者。 根據這位用戶的說法,Qualcomm Snapdragon 830 在處理器方面將採用 Kryo 架構的升級版,最大特色就是支援 8GB LPDDR4 記憶體,同時採用 Samsung Electronics 10nm 製程,預計 Qualcomm 會在 2017 年初發表這款 SoC。早前消息提到,Samsung Electronics 預計在 2016 年試產 10nm 製程。 如果此消息正確,那意味著這家行動通訊晶片龍頭在 2017 年可能推出 Qualcomm...

Samsung Electronics 量產 4GB HBM2,8GB 在規劃中

在 JEDEC 更新 HBM 資訊後,Samsung Electronics 有了新動作。 Samsung Electronics 在 19 日宣佈,公司開始量產 4GB 封裝的第二代 High Bandwidth Memory(HBM2)。 4GB HBM2 DRAM 採用 Samsung Electronics 20nm 製程以及 TSV 記憶體技術;每顆 4GB HBM2 DRAM 由 4 顆 8Gb 顆粒所組成。全新的 HBM2 有著 256GBps 的頻寬,若與 HBM 相比,這頻寬量可說是多了一倍,至於和 36GBps 的 4Gb GDDR5 顆粒進行比較,HBM2...