在 JEDEC 更新 HBM 資訊後,Samsung Electronics 有了新動作。

Samsung Electronics 在 19 日宣佈,公司開始量產 4GB 封裝的第二代 High Bandwidth Memory(HBM2)。

4GB HBM2 DRAM 採用 Samsung Electronics 20nm 製程以及 TSV 記憶體技術;每顆 4GB HBM2 DRAM 由 4 顆 8Gb 顆粒所組成。全新的 HBM2 有著 256GBps 的頻寬,若與 HBM 相比,這頻寬量可說是多了一倍,至於和 36GBps 的 4Gb GDDR5 顆粒進行比較,HBM2 的頻寬是 7 倍之多。


hbm2

目前 4GB HBM2 將會在 HPC、顯示卡以及企業及伺服器的網路系統上被採用。

同時,Samsung Electronics 預計會在 2016 年釋出 8GB 版本的 HBM2,而相關產品若被運用在繪圖卡上,使用者可以獲得比 GDDR5 更強大的效能以及更小的體積。

依照早前的資訊,AMD 的 HBM 為 SK Hynix 供應,至於 NVIDIA 則是與 Samsung Electronics 合作。




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